特許
J-GLOBAL ID：201303024485067889
半導体デバイスの製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-221717
公開番号（公開出願番号）：特開2013-030797
出願日： 2012年10月03日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
要約：
【課題】半導体の製造に際し、熱負荷を増大させることなく、また、高エネルギーのイオン注入機を必要とすることなく深い領域までドーパントを注入して活性化することを可能にする。【解決手段】半導体の表層にドーパントを浅く注入する第1の工程と、該表層を前記ドーパントの注入領域よりも深く溶融させて前記ドーパントを前記溶融の深さにまで液相拡散させることによって、前記溶融深さへの前記ドーパントの深い注入と液相での活性化とを一括処理する第2の工程とを有し、前記第2の工程における前記溶融拡散による深い注入とその活性化処理は、前記半導体表面に、連続レーザ光を相対的に走査しつつ照射してアシスト加熱するとともに、パルスレーザ光を相対的に走査しつつ繰り返し重複照射する複合照射によって行うことで、低熱負荷でドーパントを深い領域まで拡散させ、同時に活性化させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体の表層にドーパントを浅く注入する第1の工程と、該表層を前記ドーパントの注入領域よりも深く溶融させて前記ドーパントを前記溶融の深さにまで液相拡散させることによって、前記溶融深さへの前記ドーパントの深い注入と液相での活性化とを一括処理する第2の工程とを有し、前記第2の工程における前記液相拡散による深い注入とその活性化処理は、前記半導体表面に、連続レーザ光を相対的に走査しつつ照射してアシスト加熱するとともに、パルスレーザ光を相対的に走査しつつ繰り返し重複照射する複合照射によって行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/268
, H01L 21/265
, H01L 29/739
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L21/268 J
, H01L21/265 602C
, H01L29/78 655B
, H01L29/78 658A
