特許
J-GLOBAL ID：200903078119215271
不純物活性化方法及びレーザ照射装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-371011
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136218
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】 表層に不純物が添加された半導体基板の基板表面から深い位置に存在する不純物の活性化を行うことができる不純物活性化方法を提供する。【解決手段】 不純物活性化方法は、(a)表層に不純物が添加された半導体基板の表面に、パルスレーザビームである第1のレーザビームを照射する工程と、(b)前記工程(a)において第1のレーザビームが照射されている間に、前記半導体基板の表面への第2のレーザビームの照射を開始するか、または、前記工程(a)における第1のレーザビームの照射終了時刻から300ns以内に、前記半導体基板の表面への第2のレーザビームの照射を開始する工程とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(a)表層に不純物が添加された半導体基板の表面に、パルスレーザビームである第1のレーザビームを照射する工程と、
(b)前記工程(a)において第1のレーザビームが照射されている間に、前記半導体基板の表面への第2のレーザビームの照射を開始するか、または、前記工程(a)における第1のレーザビームの照射終了時刻から300ns以内に、前記半導体基板の表面への第2のレーザビームの照射を開始する工程と
を含む不純物活性化方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/265 602C
, H01L21/268 F
, H01L21/268 J
出願人引用 (2件)
審査官引用 (11件)
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