特許
J-GLOBAL ID：201303024720003362

半導体装置、及び、半導体装置の作製方法

発明者：
佐々木 俊成

佐々木 俊成 について

, 
坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

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大原 宏樹

大原 宏樹 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-011965
公開番号（公開出願番号）：特開2013-102208
出願日： 2013年01月25日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
要約：
【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理(脱水化または脱水素化のための加熱処理)を行う。また、酸化物半導体膜中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
トランジスタと、酸化物絶縁層と、を有し、 前記トランジスタは、酸化物半導体層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、 前記酸化物半導体層は、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域とを有し、 前記第1の領域は、前記ソース電極と重なり、 前記第2の領域は、前記ドレイン電極と重なり、 前記第3の領域は、前記トランジスタのチャネルが形成される領域を含み、 前記酸化物絶縁層は、前記第3の領域と重なり、 前記第3の領域のキャリア濃度は、前記第1の領域及び前記第2の領域のキャリア濃度よりも低く、 前記酸化物半導体層中の水素濃度は、3×1020cm-3以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/324
FI (4件)：
H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F ,  H01L21/324 X
Fターム (41件)：
5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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