特許
J-GLOBAL ID：201303025075071818
プラズマ処理用2重スリット弁ドア
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 宍戸 嘉一
, 竹内 英人
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-558535
特許番号：特許第4713737号
出願日： 1999年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体処理チャンバにおいて、
基板処理位置を取囲むチャンバ本体であって、チャンバ本体を通る基板移送通路を有する前記チャンバ本体、
前記基板移送通路を選択的にシールするため、前記基板移送通路の外側位置に配置された外側スリット弁ドア、及び、
前記基板移送通路を選択的にブロックするため、前記基板移送通路の内側位置に配置された内側スリット通路ドアを備え、前記内側位置は、前記外側位置より前記基板処理位置に近く、
前記内側スリット通路ドアは、垂直方向に移動可能な第1、第2の支持ロッドにより支持され、
前記第1の支持ロッドは、堅くクランプした接続により、前記内側スリット通路ドアに固定され、
前記第2の支持ロッドは、フローティング接続により前記内側スリット通路ドアに固定され、該フローティング接続は、前記内側スリット通路ドアの方向を垂直方向で、前記内側スリット通路ドアの長手軸にほぼ垂直な方向に保持し、それにより前記内側スリット通路ドアは前記長手軸に沿った方向に移動できることを特徴とする処理チャンバ。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01J 37/20 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, H01L 21/302 101 G
, H01J 37/20 B
