特許
J-GLOBAL ID：200903050766778928

半導体処理チャンバ表面を洗浄する装置及び方法

発明者：
ロバート ジェイ. ステガー

ロバート ジェイ. ステガー について

, 
フレッド シー. レデカー

フレッド シー. レデカー について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153946
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070112
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 チャンバ内に残留する堆積物による半導体の汚染を防止すること。【解決手段】 チャンバ100表面近傍の温度制御付きセラミックのライナ102の温度は、半導体の基板処理中にライナ102表面上の堆積物形成の低減やライナ102表面から堆積物除去の促進を目的に設定される。チャンバ100表面には堆積物が早く堆積するものもある。堆積物の形成又は除去の速度は温度に依存するので、ライナ102は異なる場所で温度を独立に設定可能に構成されうる。温度制御可能なライナ102が複数の場合、各ライナで保護されるチャンバの領域の堆積物の形成の低減又は除去の要件に応じ、異なる温度に設定される。好適には、基板処理時或いは洗浄処理時にチャンバ100外部で生成されたプラズマが導管を通してチャンバ100内に供給される。少なくともプラズマに接触する導管内側表面はハロゲン含有材料からなり、このハロゲンは導管内部を通過する活性種を考慮して選択可能である。
請求項（抜粋）：
プラズマ含有処理中に半導体処理チャンバ表面に隣接して使用される温度制御付きのセラミックライナ又はセラミック障壁において、前記セラミックライナ又は前記セラミック障壁の温度が、前記処理チャンバ内での半導体基板の処理中に、前記セラミックライナ又は前記セラミック障壁上の堆積物の形成を減らすように、或いは前記ライナ若しくは前記障壁からの堆積物の除去を促進するように、制御されることを特徴とする温度制御付きセラミックライナ又はセラミック障壁。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (5件)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/02 D ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N
引用特許：
審査官引用 (19件)
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