特許

J-GLOBAL ID：201303025761752155

FERAMコンデンサの化学的機械研磨

発明者： ヴァン バスカーク,ピーター,シー. ,  ラッセル,マイケル,ダブリュ. ,  ビロデュー,スティーブン,エム. ,  バーム,トーマス,エイチ.
出願人/特許権者： フェローズ リサーチ ビー.ブイ.,エルエルシー
代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-584527
特許番号：特許第5128731号
出願日： 1999年11月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 マイクロ電子装置構造の装置前駆体構造を形成すること、化学的機械研磨(CMP)を、マイクロ電子装置構造のドーパント又は調節剤として機能する少なくとも1つの含まれた材料を含むCMP媒体を使用して行うことで装置前駆体構造を平面化すること、及び、前記平面化の後にマイクロ電子装置構造に熱的アニーリングすることを含む方法であって、 前記材料は:ペロブスカイトナノ結晶粒子と;マイクロ電子装置構造材料内にO空位又はアクセプタ不純物欠陥があった場合にその埋め合わせとなるドナードーパントと;マイクロ電子装置構造材料の誘電体及び/又は強誘電体特性を補助するカチオンを含む耐火窒化物及びカーバイドと;マイクロ電子装置構造の表面に存在する化学副産物の硬さを超える硬さを有する成分と;マイクロ電子装置構造の表面においてマイクロ電子装置構造材料に反応する反応成分と、のうち少なくとも1種を含む、 方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 444 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-235352   出願人：株式会社東芝
• 強誘電体層を有する半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-144013   出願人：富士通株式会社
• 強誘電体メモリの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-105014   出願人：ローム株式会社
• 半導体素子のキャパシタ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-176748   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド