スイッチ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-083338
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157627
出願日： 2013年04月11日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

【課題】スイッチ素子の小型化及び高密度配置によるスイッチ素子の高集積化が可能であり、更に、スイッチ素子を高信頼化することができる、スイッチ素子を提供する。【解決手段】半導体基板1上の多層配線内に抵抗変化材料層であるSiCN膜705が形成されている。SiCN膜705の下部には下層配線708が接続され、SiCN膜705の上部には銅714が接続されている。SiCN膜705の周囲には、前記下層配線708と同一層の他の下層配線708と、前記銅714と同一層の他の銅714と、が接続されて形成されている。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された多層配線内に抵抗変化材料層を有し、前記抵抗変化材料層の下部に接続するための第1の下層銅配線と、前記抵抗変化材料層の上部に接続するための第1のコンタクトプラグと、を有し、前記第1のコンタクトプラグは第1の上層銅配線と接続されており、第2の下層銅配線と接続する第2のコンタクトプラグと、前記第2のコンタクトプラグと接続する第2の上層銅配線と、を有し、前記抵抗変化材料層の下面は前記第1の下層銅配線の上面と直接接し、前記第1の上層銅配線と前記第2の上層銅配線とは同一層であって、前記第1の下層銅配線と前記第2の下層銅配線とは同一層である、ことを特徴とするスイッチ素子。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (4件)：

H01L21/82 F , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z , H01L21/82 A

Fターム (15件)：

5F064AA08 , 5F064BB07 , 5F064BB37 , 5F064CC09 , 5F064EE22 , 5F064EE27 , 5F064EE32 , 5F064FF04 , 5F064FF27 , 5F064FF28 , 5F064FF29 , 5F064FF32 , 5F064FF45 , 5F064GG01 , 5F064GG03

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-192613 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-374583 出願人：松下電器産業株式会社
データ保持および省電力が向上した抵抗メモリ装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-511151 出願人：スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー

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