特許
J-GLOBAL ID：201303026330896466
グラフェン薄膜の製造方法及びグラフェン薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
加藤 久
, 久保山 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-042115
公開番号（公開出願番号）：特開2013-177273
出願日： 2012年02月28日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】均質な二層グラフェンドメインを含むグラフェン薄膜を再現性よく製造することができるグラフェン薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板の表面にエピタキシャルな金属膜を成膜した基板に、炭素含有分子を含有する原料ガスを供給して化学気相成長(CVD)により、前記エピタキシャルな金属膜の表面にグラフェン薄膜を成長させる工程を含むグラフェン薄膜の製造方法において、 二層グラフェンの核を生成する条件でガス供給を行う第1の原料ガス供給工程と、 生成した前記二層グラフェンの核から二層グラフェンを成長させる条件でガス供給を行う第2の原料ガス供給工程と、を含むことを特徴とするグラフェン薄膜の製造方法。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
単結晶基板の表面にエピタキシャルな金属膜を成膜した基板に、炭素含有分子を含有する原料ガスを供給して化学気相成長(CVD)により、前記エピタキシャルな金属膜の表面にグラフェン薄膜を成長させる工程を含むグラフェン薄膜の製造方法において、
二層グラフェンの核を生成する条件でガス供給を行う第1の原料ガス供給工程と、
生成した前記二層グラフェンの核から二層グラフェンを成長させる条件でガス供給を行う第2の原料ガス供給工程と、
を含むことを特徴とするグラフェン薄膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AB10
, 4G146AC15B
, 4G146AC16B
, 4G146AD21
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB23
, 4G146BC01
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC29
, 4G146BC31A
, 4G146BC31B
, 4G146BC34A
, 4G146BC34B
, 4G146BC38A
, 4G146BC43
