大規模グラフェンシート、それを組み込んだ物、組成物、方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口太郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-524223
公開番号（公開出願番号）：特表2013-535407
出願日： 2011年08月11日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：

【解決手段】本発明が提供するのは大規模で均一的なグラフェン層を常圧で化学蒸着(Chemical Vapor Deposition(CVD))を使用して平坦化された基板上に成長させるための方法である。上記方法にしたがって生成されたグラフェンは容積95%を超える単層にすることもできる。本発明の工程により調製された電界効果トランジスタは室温正孔移動度を有し、商業的に入手可能な銅箔基板上で作製されたサンプルを測定したときの室温正孔移動度の2〜5倍大規模である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

グラフェン材を作製する方法であって、平坦化された金属基板上にグラフェンシートを成長させる工程を有する方法。

IPC (5件)：

C01B 31/02 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 29/786

FI (5件)：

C01B31/02 101Z , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E , H01L29/78 618B

Fターム (29件)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AC01A , 4G146AC01B , 4G146AC16A , 4G146AC16B , 4G146AC19A , 4G146AC19B , 4G146AD28 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC07 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC26 , 4G146BC32A , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4G146BC34A , 4G146BC34B , 4G146CA02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110GG01 , 5F110GG44 , 5F110HK01

引用特許：

審査官引用 (3件)

グラフェン被覆部材とその製造方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-261875 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
単結晶グラフェンシートおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-318418 出願人：三星電子株式会社
グラフェンのロールツーロール転写方法、それによるグラフェンロール、及びグラフェンのロールツーロール転写装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2012-534122 出願人：スンキュンクワンユニヴァーシティーファウンデーションフォーコーポレイトコラボレイション

引用文献：

審査官引用 (4件)

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