特許
J-GLOBAL ID：201303026764823173
単結晶シリコンウエハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 新免 勝利
, 佐藤 洋
, 言上 惠一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-576083
特許番号：特許第4875800号
出願日： 1999年10月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 凝集真性点欠陥を実質的に有さない単結晶シリコンウエハの製造法であって、該方法が、水素、アルゴン、またはそれらの混合物の雰囲気中で、1000°Cより高い温度において、単結晶シリコンウエハを熱的にアニールすることを含んで成り;該ウエハが、冷却工程の部分としてシリコンの凝固温度〜800°Cの温度範囲を通過して0.1〜1.5°C/分の範囲の冷却速度でインゴットが冷却されるチョクラルスキー法によって成長され冷却された単結晶シリコンインゴットからスライスされたものであって、該ウエハが、中心軸、中心軸にほぼ垂直な前表面および後表面、前表面と後表面の間の中央面、周囲縁、中心軸から周囲縁に延在する半径、シリコン自己格子間原子が優勢な真性点欠陥であり、凝集格子間原子欠陥を実質的に有さない、周囲縁から半径方向に内側に延在する第一軸対称領域、および、空孔が優勢な真性点欠陥である、第一軸対称領域の半径方向に内側に位置する第二軸対称領域を有し;該熱アニールが、前表面から中央面に向かって延在する層内の第二軸対称領域に存在する凝集空孔欠陥を溶解させる作用をする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, C30B 33/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/324 ( 200 6.01)
H01L 21/322 Y
, C30B 33/02
, H01L 21/324 X
