半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉城信一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-262862
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085329
特許番号：特許第4853845号
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】非晶質半導体膜上にマスクを形成し、次いで、前記非晶質半導体膜中に前記マスクを用いて選択的に15族元素を添加することでゲッタリング領域を形成し、次いで、前記マスクを除去した後、前記非晶質半導体膜上の全面に結晶化を助長する金属元素を添加し、次いで、同一の熱処理工程中に、第1の熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶化させて結晶質半導体膜を形成した後、前記第1の熱処理の温度に対して温度を高く変化させた第2の熱処理により前記金属元素のゲッタリングを行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：