特許
J-GLOBAL ID：201303028601551527

磁気抵抗効果素子、および磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
深見 俊輔

深見 俊輔 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-055694
公開番号（公開出願番号）：特開2013-118417
出願日： 2013年03月18日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：
【課題】十分な熱安定性を維持した上で、書き込みに要する電流値が低減された磁気ランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、磁化自由層、絶縁層、磁化固定層を含む積層構造を備える。磁化自由層は、センス層と、センス層に隣接して設けられる第1の結合層と、第1の結合層に隣接してセンス層とは反対側に設けられるストレージ層を備える。センス層とストレージ層は第1の結合層12を介して少なくとも一部分が磁気的に結合している。ストレージ層の磁気異方性はセンス層の磁気異方性よりも大きい。センス層の飽和磁化と体積の積は、ストレージ層の飽和磁化と体積の積よりも大きい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反転可能な磁化を有する磁化自由層と、 前記磁化自由層に隣接する絶縁層と、 前記絶縁層の前記磁化自由層と反対側に隣接し、磁化がほぼ一方向に固定された磁化固定層を具備し、 前記磁化自由層は、 センス層と、 前記センス層に隣接する第1の結合層と、 前記第1の結合層の前記センス層と反対側に隣接するストレージ層を具備し、 前記センス層と前記ストレージ層は前記第1の結合層を介して少なくとも一部分が磁気的に結合しており、 前記ストレージ層の磁気異方性は前記センス層の磁気異方性よりも大きく、 前記センス層の飽和磁化と体積の積は、前記ストレージ層の飽和磁化と体積の積よりも大きい 磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 P
Fターム (39件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD47 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119KK10 ,  5F092AA01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC42 ,  5F092GA03
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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