特許
J-GLOBAL ID：201303029555906265

ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
長谷川 幸士

長谷川 幸士 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-163933
公開番号（公開出願番号）：特開2013-029564
出願日： 2011年07月27日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
要約：
【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。(Aは-(CR22)m-、Bは-(CR52)n-を示し、R2、R5は水素原子又はアルキル基、R2同士又はR5同士が互いに結合して環を形成してもよい。m、nは1又は2、R6はアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基、R3はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基であり、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。pは0〜4の整数。)【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
カルボキシル基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/16
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/16
Fターム (72件)：
2H125AF15P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AH14 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ02Y ,  2H125AJ04Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ47Y ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ52X ,  2H125AJ52Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ83Y ,  2H125AL02 ,  2H125AL17 ,  2H125AM15P ,  2H125AM22P ,  2H125AN28P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN62P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA27P ,  2H125CA12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08P ,  2H125CD37 ,  4J100AB07P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AR09R ,  4J100AR10R ,  4J100AR32R ,  4J100BA03P ,  4J100BA50S ,  4J100BA56S ,  4J100BB07S ,  4J100BB18S ,  4J100BC43P ,  4J100BC43S ,  4J100BC48P ,  4J100BC48Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (5件)
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