特許
J-GLOBAL ID：201003059524735947

ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
竹村 勝也

竹村 勝也 について

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増永 恵一

増永 恵一 について

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土門 大将

土門 大将 について

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堤箸 正義

堤箸 正義 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297828
公開番号（公開出願番号）：特開2010-122579
出願日： 2008年11月21日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【解決手段】側鎖に、芳香族炭化水素基および三級炭素を含有する鎖状または環状のアルキル基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物を含有するポジ型レジスト材料。【効果】本発明の材料は、微細加工技術、特にArFリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。また、マスク加工における、EB描画において、微細パターンの解像性、高感度で高加速電圧EB露光に相応しく、エッチング耐性に優れたポジ型レジスト材料を提供でき、マスク加工に極めて有用でもある。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)又は(2)
IPC (8件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/38 ,  C08F 20/30 ,  C08F 212/14 ,  C08F 232/00 ,  C08F 220/30 ,  H01L 21/027
FI (8件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/38 501 ,  C08F20/30 ,  C08F212/14 ,  C08F232/00 ,  C08F220/30 ,  H01L21/30 502R
Fターム (56件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07S ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09S ,  4J100AR09R ,  4J100AR10R ,  4J100BA02S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03S ,  4J100BA11P ,  4J100BB18S ,  4J100BC03Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC04S ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12S ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC48Q ,  4J100BC48R ,  4J100BC49Q ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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