特許
J-GLOBAL ID:201303029612007787
メタマテリアル転写用積層体及びメタマテリアル被転写基材
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青木 宏義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-198836
公開番号(公開出願番号):特開2013-144429
出願日: 2012年09月10日
公開日(公表日): 2013年07月25日
要約:
【課題】基材に容易に大面積にメタマテリアル層を形成可能なメタマテリアル転写用積層体を提供すること。【解決手段】メタマテリアル層を基材上に転写するためのメタマテリアル転写用積層体であり、表面に微細凹凸構造を有する樹脂モールド(11)と、樹脂モールド表面上に形成された、少なくとも一層の誘電体層及び少なくとも一層の金属層を含むメタマテリアル層としての無機層(12)、で構成されており、樹脂モールド(11)を構成する樹脂は、フッ素を含有し、かつ、樹脂中の平均フッ素元素濃度(Eb)と樹脂モールド(11)の表面部のフッ素元素濃度(Es)との比が下記式(1)を満たす。 200≧Es/Eb≧5.0 (1)【選択図】図1
請求項(抜粋):
メタマテリアル層を基材上に転写するためのメタマテリアル転写用積層体であって、
前記メタマテリアル転写用積層体が、表面に微細凹凸構造を有する樹脂モールドと、前記樹脂モールド表面上に形成された、少なくとも一層の誘電体層及び少なくとも一層の金属層を含む前記メタマテリアル層と、で構成されており、
前記樹脂モールドを構成する樹脂は、フッ素を含有し、かつ、前記樹脂中の平均フッ素元素濃度(Eb)と前記樹脂モールドの表面部のフッ素元素濃度(Es)との比が下記式(1)を満たすことを特徴とするメタマテリアル転写用積層体。
200≧Es/Eb≧5.0 (1)
IPC (5件):
B32B 27/30
, B32B 27/00
, B32B 27/06
, B32B 15/04
, B32B 3/30
FI (5件):
B32B27/30 D
, B32B27/00 Z
, B32B27/06
, B32B15/04 Z
, B32B3/30
Fターム (38件):
4F100AA05
, 4F100AA20
, 4F100AB01C
, 4F100AB01E
, 4F100AB24
, 4F100AG00
, 4F100AK01A
, 4F100AK17
, 4F100AK17A
, 4F100AK25
, 4F100AK25A
, 4F100AK42
, 4F100AR00B
, 4F100AR00C
, 4F100AR00D
, 4F100AR00E
, 4F100AT00A
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA08
, 4F100BA08C
, 4F100BA08D
, 4F100BA08E
, 4F100BA44A
, 4F100CB00E
, 4F100DD07
, 4F100DD07A
, 4F100EH46
, 4F100EJ08
, 4F100EJ54
, 4F100GB90
, 4F100JG05B
, 4F100JG05D
, 4F100JK17A
, 4F100JL00
, 4F100JL14E
, 4F100YY00A
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
引用文献:
前のページに戻る