特許
J-GLOBAL ID：201303030001855454

半導体装置

発明者：
佐藤 義浩

佐藤 義浩 について


出願人/特許権者：
次世代パワーデバイス技術研究組合

次世代パワーデバイス技術研究組合 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-275057
公開番号（公開出願番号）：特開2013-125913
出願日： 2011年12月15日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：
【課題】耐圧が高く、ノーマリーオフである窒化ガリウム系半導体を用いたMOSFETを得る。【解決手段】窒化ガリウム系半導体で形成されたp型半導体層106と、p型半導体層106の上方に、n型の窒化ガリウム系半導体で形成されたチャネル層110と、チャネル層110上に形成された電子供給層112と、ソース電極116及びドレイン電極118と、電子供給層112が除去された領域124で、チャネル層上に形成された絶縁層114と、絶縁層114上に形成されたゲート電極120と、を備え、チャネル層110に2次元電子ガス122が形成され、ゲート電極120と、ドレイン電極118との間の領域で、チャネル層における活性化しているn型のドーパントの面密度と2次元電子ガス122のシートキャリア密度との合計が、p型半導体層における活性化しているp型のドーパントの面密度と略等しい半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p型のドーパントを有する窒化ガリウム系半導体で形成されたp型半導体層と、 前記p型半導体層の上方に、n型のドーパントを有する窒化ガリウム系半導体で形成されたチャネル層と、 前記チャネル層上に、前記チャネル層よりバンドギャップエネルギーが大きい窒化ガリウム系半導体で形成され、一部が除去された電子供給層と、 前記チャネル層の上方に形成され、前記チャネル層に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、 前記電子供給層が除去された領域で、前記チャネル層上に、絶縁性の物質で形成された絶縁層と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間で、前記絶縁層上に形成されたゲート電極と、を備え、 前記チャネル層に2次元電子ガスが形成され、 前記ゲート電極と、前記ドレイン電極との間の領域で、前記チャネル層における活性化している前記n型のドーパントの面密度と前記2次元電子ガスのシートキャリア密度との合計が、前記p型半導体層における活性化している前記p型のドーパントの面密度と略等しい 半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/06 301D ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L
Fターム (59件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA25 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA10 ,  5F140BA17 ,  5F140BB06 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BF07 ,  5F140BF15 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BF43 ,  5F140BG30 ,  5F140BH07 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140CD09 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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