特許
J-GLOBAL ID：201003014145933274

電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法

発明者：
野村 剛彦

野村 剛彦 について

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新山 勇樹

新山 勇樹 について

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神林 宏

神林 宏 について

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吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-206258
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045073
出願日： 2008年08月08日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：
【課題】オン抵抗が低く、耐圧性及びチャネル移動度が高い電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。【解決手段】MOS構造を有し、窒化物系化合物半導体からなる電界効果トランジスタであって、基板上に形成された所定の導電型を有する半導体層と、エピタキシャル成長によって前記半導体層とソース電極およびドレイン電極のそれぞれとの間に形成された、前記所定の導電型とは反対の導電型を有するコンタクト層と、エピタキシャル成長によって前記ドレイン電極側のコンタクト層と前記半導体層との間にゲート絶縁膜を介してゲート電極と重畳するように形成された、前記所定の導電型とは反対の導電型を有するとともに該コンタクト層よりもキャリア濃度が低い電界緩和層と、を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
MOS構造を有し、窒化物系化合物半導体からなる電界効果トランジスタであって、 基板上に形成された所定の導電型を有する半導体層と、 エピタキシャル成長によって前記半導体層とソース電極およびドレイン電極のそれぞれとの間に形成された、前記所定の導電型とは反対の導電型を有するコンタクト層と、 エピタキシャル成長によって前記ドレイン電極側のコンタクト層と前記半導体層との間にゲート絶縁膜を介してゲート電極と重畳するように形成された、前記所定の導電型とは反対の導電型を有するとともに該コンタクト層よりもキャリア濃度が低い電界緩和層と、 を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (8件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/80 H ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/48 D
Fターム (96件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB28 ,  4M104FF03 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH18 ,  5F048AA05 ,  5F048AC09 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GA02 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR06 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F110AA07 ,  5F110AA13 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF36 ,  5F110GG04 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110HK08 ,  5F110HK13 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK27 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110HM14 ,  5F110NN71 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AB06 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA17 ,  5F140BB15 ,  5F140BC19 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BG27 ,  5F140BG31 ,  5F140BG38 ,  5F140BH06 ,  5F140BH13 ,  5F140BH17 ,  5F140BH18 ,  5F140BH21 ,  5F140BH27 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BK18
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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