特許
J-GLOBAL ID：201103055668933966

半導体装置及びその製造方法

発明者：
佐藤 憲

佐藤 憲 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (2件)： 堀 城之 ,  前島 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-189153
公開番号（公開出願番号）：特開2011-040676
出願日： 2009年08月18日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：
【課題】基板と能動層との間に導電性半導体層を挿入した構成をもつGaN系デバイスにおいて、導電性半導体層中のドーパントの悪影響を抑制する。【解決手段】このHEMT素子10においては、基板11としてn-GaN(n型のGaNウェハ)が用いられる。この上に、リーク電流の低減及び電流コラプス抑制等のためにp型GaN層(導電性半導体層)12が形成される。p型GaN層12の上に、ノンドープAlN層(半絶縁性半導体層)13が形成され、その上に、半絶縁性GaNからなる電子走行層(能動層)14、n-AlGaNからなる電子供給層(能動層)15が、MBE法、MOVPE法等によって順次形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、化学式AlxMyGa1-x-yN(0≦x<1、0≦y<1、0≦x+y<1、ここで、MはIn、Bのうちの1種を少なくとも含む)で表される組成をもつ能動層が形成された構成を具備し、前記基板と前記能動層との間に、化学式AlpMqGa1-p-qN(0≦p<1、0≦q<1、0≦p+q<1)で表される組成をもつ導電性半導体層が形成された構成を具備する半導体装置であって、 前記能動層と前記導電性半導体層との間に、化学式AlrMsGa1-r-sN(p<r<1、x<r、0≦s<1、0≦r+s<1)で表される組成をもつ半絶縁性半導体層が形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (24件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA66 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (8件)
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