半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-253316
公開番号（公開出願番号）：特開2013-110229
出願日： 2011年11月18日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：

【課題】シリコン貫通ビアが形成されたLSIチップが搭載されたパッケージ内において、LSIチップから受動部品までの配線距離を短くする構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板上に積層された複数のLSIチップからなる半導体装置であって、シリコン貫通ビアが形成されたLSIチップと、前記シリコン貫通ビアが形成されたLSIチップ上に搭載され、前記シリコン貫通ビアを介して電源経路と電気的に接続する1以上の受動部品と、を有することを特徴とする半導体装置に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に積層された複数のLSIチップからなる半導体装置であって、シリコン貫通ビアが形成されたLSIチップと、前記シリコン貫通ビアが形成されたLSIチップ上に搭載され、前記シリコン貫通ビアを介して電源経路と電気的に接続する1以上の受動部品と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 25/04 , H01L 25/18

FI (1件)：

H01L25/04 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体チップおよび半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-112574 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-004003 出願人：セイコーエプソン株式会社
電子回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-365566 出願人：三菱電機株式会社

全件表示

前のページに戻る