特許
J-GLOBAL ID：200903048856358184

半導体装置

発明者：
福田 研二

福田 研二 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-370199
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210892
出願日： 2005年12月22日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】従来は最上部のLSIチップの上面以外にヒートシンクを取り付けることができないため、半導体装置全体として効率的な放熱ができず、また、最上部以外の下部のLSIチップの発熱による熱も効率良く放熱できない。【解決手段】複数のLSIチップ2が中継基板1上に積層された積層構造の半導体装置において、上下に隣接するLSIチップ2との間又は最下部のLSIチップの下面と基板1との間に熱伝導性アンダーフィル樹脂10が設けられている。LSIチップ2の発熱は、最上部のLSIチップ2の表面及びLSIチップ2の各側面と熱伝導性アンダーフィル樹脂10の側面にそれぞれ接触し、かつ、被覆する放熱シート9を介して、放熱シート9のLSIチップ2と反対側表面が内面に接触され、かつ、積層構造の全体を覆うヒートシンク8に到達し、これより外部雰囲気中に放熱される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のLSIチップが基板上に積層された積層構造の半導体装置において、 上下に隣接する前記LSIチップとの間又は最下部の前記LSIチップの下面と前記基板との間に設けられた熱伝導性部材と、 前記複数のLSIチップのうち、最上部のLSIチップの表面及び前記複数のLSIチップの各側面と前記熱伝導性部材の側面にそれぞれ接触し、かつ、被覆する放熱シートと、 前記放熱シートの前記LSIチップ側面の反対側表面が内面に接触され、かつ、前記積層構造の全体を覆うヒートシンクと を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065 ,  H01L 23/36
FI (2件)：
H01L25/08 Z ,  H01L23/36 D
Fターム (3件)：
5F136BC05 ,  5F136BC07 ,  5F136DA01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (9件)
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