特許
J-GLOBAL ID：201303031077333950

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者：
栃林 克明

栃林 克明 について

, 
日向野 聡

日向野 聡 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-227338
公開番号（公開出願番号）：特開2013-110394
出願日： 2012年10月12日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：
【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び/または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、5×1018atoms/cm3以下、好ましくは1×1018atoms/cm3以下とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、 前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート電極層上に島状の酸化物半導体膜を形成し、 前記ゲート電極層と重畳し、前記島状の酸化物半導体膜に接する絶縁層を形成し、 前記島状の酸化物半導体膜及び前記絶縁層を覆う導電膜を形成し、 前記導電膜を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、前記ソース電極層及びドレイン電極層を形成することで、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、 前記露出した酸化物半導体膜に不純物除去処理を行い、前記エッチングガスに含まれる元素を除去する半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 619A ,  G02F1/1368 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (128件)：
2H092GA51 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092NA21 ,  2H092NA29 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  3K107FF14 ,  3K107GG28 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL11 ,  5F110HM05 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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