特許

J-GLOBAL ID：200903094683548154

窒化物半導体と、窒化物半導体発光装置と、窒化物半導体の製造方法と、半導体発光装置の製造方法

発明者： 奥山 浩之 ,  中島 博 ,  中村 文彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005590
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208874
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体に、特にp型窒化ガリウム系化合物半導体おける室温でのキャリア濃度の向上を図る。【解決手段】 p型のBp Alq Gar Ins N(0≦p≦1,0≦q≦1,0≦r≦1,0≦s≦1,p+q+r+s=1)による窒化物半導体4であって、点欠陥濃度が、1×1019cm-3以上とされて高いキャリア濃度を得ることができるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

p型のBp Alq Gar Ins N(0≦p≦1,0≦q≦1,0≦r≦1,0≦s≦1,p+q+r+s=1)による窒化物半導体であって、点欠陥濃度が、1×1019cm-3以上とされて高いキャリア濃度を得ることができるようにしたことを特徴とする窒化物半導体。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (49件)：

5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA72 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB19 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA57 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12 ,  5F045HA16 ,  5F045HA19 ,  5F073AA04 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA20 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-120231   出願人：昭和電工株式会社
• 窒素系III-V族化合物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-151661   出願人：ソニー株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068049   出願人：住友電気工業株式会社
• 結晶成長方法および半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-211951   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-136901   出願人：シャープ株式会社