特許
J-GLOBAL ID：201303034670380220

集積型半導体装置

発明者：
川端 一司

川端 一司 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-239319
公開番号（公開出願番号）：特開2013-098327
出願日： 2011年10月31日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：
【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。 【解決手段】 サファイア単結晶基板10と、サファイア単結晶基板10の一方主面10Aに第1素子機能部22を備え、他方主面10Bに第2素子機能部32を備え、第1素子機能部22が光を発光し、第2素子機能部32がサファイア単結晶基板10を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
サファイア単結晶基板と、 前記サファイア単結晶基板の一方主面に形成された化合物半導体層と、 前記サファイア単結晶基板の他方主面に接合された半導体基板と、 前記化合物半導体層に形成された、半導体素子として機能する第1素子機能部と、 前記半導体基板に形成された、半導体素子として機能する第2素子機能部と を備え、 前記第1素子機能部は、光を発光し、前記第2素子機能部は、前記サファイア単結晶基板を透過した前記光を受光することを特徴とする集積型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 31/12 ,  H01L 33/32
FI (2件)：
H01L31/12 C ,  H01L33/00 186
Fターム (16件)：
5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB32 ,  5F041CB33 ,  5F089AA06 ,  5F089AB03 ,  5F089AB08 ,  5F089AB09 ,  5F089AC10 ,  5F089AC15 ,  5F089CA12 ,  5F089DA14 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CB32 ,  5F141CB33
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 光結合素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-042070   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
  • GaN系化合物半導体受光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-041217   出願人：大阪瓦斯株式会社
  • 受光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-110104   出願人：富士写真フイルム株式会社
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