特許
J-GLOBAL ID：201303035317131735
空乏ヘテロ接合とシェルパッシベートナノ粒子を有する光起電力デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 水谷 好男
, 森 啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-503781
公開番号（公開出願番号）：特表2013-524530
出願日： 2011年03月25日
公開日（公表日）： 2013年06月17日
要約：
光起電力セルは、光吸収層と電子受容層との間の接合の少なくとも一方の側が太陽光の照射がない場合に、電荷キャリア、即ち自由電子と自由ホールを実質的に空乏化する様に、光吸収層と電子受容層の組成を選択することによって、形成される。本発明の更なる観点において、光吸収層は、2重シェルパッシベート量子ドットを含んでおり、それぞれの量子ドットは、表面陰イオンを有する量子ドットコアと、コア表面の陰イオンをパッシベートする陽イオンを含んだ内側シェルと、内側シェルの陰イオンとコア表面の陰イオンとをパッシベートする陽イオンを含んだ外側シェルと、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の光透過電極と、
前記第1の電極と直接電気接触する第1の半導体層と、
光吸収ナノ粒子を含み、前記第1の半導体層と直接電気接触する第2の半導体層と、さらに
前記第2の半導体層と直接電気接触する第2の電極と、を備え、
前記第1および第2の半導体層はその間に接合を形成し、その接合の少なくとも一方の側は当該デバイスが照射されていない場合、自由電子および自由ホールが実質的に空乏化されている、光起電力デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F151AA07
, 5F151CB13
, 5F151CB24
, 5F151DA07
, 5F151DA13
, 5F151FA04
