特許

J-GLOBAL ID：201303036765817733

半導体基板の製造方法および半導体基板

発明者： 浅村 英俊 ,  川村 啓介 ,  奥 秀彦 ,  深澤 暁 ,  三宅 秀人 ,  平松 和政
出願人/特許権者： エア・ウォーター株式会社 ,  国立大学法人三重大学
代理人 (1件)： 森本 直之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-041178
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179121
出願日： 2012年02月28日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：

【課題】転位密度の低減を図るとともに、単位時間当たりの処理量を向上することができる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも最表層に単結晶のSiCが存在するベース基板上に所定のGaN成膜温度でGaN層を成膜する半導体基板の製造方法であって、 上記SiC上にGaN成膜温度よりも高温下でAlxInyGa1-x-yN(0 請求項（抜粋）：

少なくとも最表層に単結晶のSiCが存在するベース基板上に所定のGaN成膜温度でGaN層を成膜する半導体基板の製造方法であって、 上記SiC上にGaN成膜温度よりも高温下でAlxInyGa1-x-yN(0 IPC (1件)：

H01L 21/20

FI (1件)：

H01L21/20

Fターム (18件)：

5F152LL03 ,  5F152LM09 ,  5F152LN03 ,  5F152LN05 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN15 ,  5F152NN29 ,  5F152NP02 ,  5F152NP09 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-322859   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-140649   出願人：古河電気工業株式会社
• 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-193708   出願人：日立電線株式会社
• 窒化物半導体層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-176875   出願人：日亜化学工業株式会社
• 単結晶3C-SiC基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶3C-SiC基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-286949   出願人：エア・ウォーター株式会社
• 半導体の結晶成長方法及び半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-176675   出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (6件)

• 窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-322859   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-140649   出願人：古河電気工業株式会社
• 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-193708   出願人：日立電線株式会社
• 窒化物半導体層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-176875   出願人：日亜化学工業株式会社
• 単結晶3C-SiC基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶3C-SiC基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-286949   出願人：エア・ウォーター株式会社
• 半導体の結晶成長方法及び半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-176675   出願人：豊田合成株式会社