特許
J-GLOBAL ID：201303036981873494

エアギャップを備えるグラフェントランジスタ、それを備えるハイブリッドトランジスタ及びその製造方法

発明者：
鄭 現鍾

鄭 現鍾 について

, 
鄭 佑仁

鄭 佑仁 について

, 
金 奇南

金 奇南 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (2件)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-233438
公開番号（公開出願番号）：特開2013-098553
出願日： 2012年10月23日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：
【課題】エアギャップを備えるグラフェントランジスタ、それを備えるハイブリッドトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上のゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のグラフェンチャネルと、グラフェンチャネル上で互いに離隔しているソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の上面を覆い、グラフェンチャネル上でソース電極とドレイン電極との間にエアギャップを形成するカバーと、を備えるグラフェントランジスタ。前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記グラフェンチャネルの長さが、10nm〜100nmである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上のゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上のグラフェンチャネルと、 前記グラフェンチャネル上で互いに離隔しているソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極及びドレイン電極の上面を覆い、前記グラフェンチャネル上で前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にエアギャップを形成するカバーと、を備えるグラフェントランジスタ。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283
FI (12件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 390 ,  H01L29/28 310E ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/283 C
Fターム (42件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104FF11 ,  4M104FF40 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110BB11 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE24 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG44 ,  5F110HM04 ,  5F110HM17 ,  5F110NN12 ,  5F110NN15 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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