グラフェン素子及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-227463
公開番号（公開出願番号）：特開2011-086937
出願日： 2010年10月07日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：

【課題】グラフェン素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】埋込みゲート(embedded gate)上に形成された上部酸化膜と、該上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び電極と、を含み、基板上に1つまたは離隔された複数の埋込みゲートが備えられ、グラフェンチャネルと電極は、順次に積層されるか、その逆順に積層されうるグラフェン素子である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された少なくとも1つの埋込みゲート(embedded gate)と、前記少なくとも1つの埋込みゲート上に形成された上部酸化膜と、前記上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び複数の電極と、を含むグラフェン素子。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 29/06

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L21/20 , H01L29/06 601N , H01L29/78 617N , H01L29/78 618E

Fターム (22件)：

5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD21 , 5F110EE01 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110QQ19 , 5F152LL03 , 5F152MM04 , 5F152NN03 , 5F152NP13 , 5F152NQ01

引用特許：

審査官引用 (10件)

層状炭素構造体の製造方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-335941 出願人：富士通株式会社
半導体装置および半導体センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-093076 出願人：富士通株式会社
炭素微粒子構造体とその製造方法、およびこれを製造するための炭素微粒子転写体と炭素微粒子構造体製造用溶液、並びに炭素微粒子構造体を用いた炭素微粒子構造体電子素子とその製造方法、そして集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-188823 出願人：富士ゼロックス株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Asymmetry gap in the electronic band structure of bilayer graphene

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