特許
J-GLOBAL ID:201303037268474659
回路用導電フィルム
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-139068
公開番号(公開出願番号):特開2013-008760
出願日: 2011年06月23日
公開日(公表日): 2013年01月10日
要約:
【課題】基材フィルム表面を粗化せず、しかも接着剤を使用しないにも拘わらず、基材フィルムと金属めっき膜との密着性を確保し、更にはフォトエッチング法により金属めっき膜を除去した部分において光透過性と表面平滑性に優れる回路用導電フィルムおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】基材フィルム上にめっき下地層を設け、めっき下地層上に無電解めっき法により金属めっき膜を設け、金属めっき膜をフォトエッチング処理して基材上にパターン状の金属めっき膜を設けた回路用導電フィルムであって、前記めっき下地層は、複素環を有する化合物、または複素環を有する化合物及び金属塩を含む層であり、前記フォトエッチング処理により金属めっき膜が除去された部分は、基材フィルムの光透過率を100%とした時の値に対して95%以上の光透過率であり、かつ表面粗さRaが50nm以下であることを特徴とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
基材フィルム上にめっき下地層を設け、めっき下地層上に無電解めっき法により金属めっき膜を設け、金属めっき膜をフォトエッチング処理して基材上にパターン状の金属めっき膜を設けた回路用導電フィルムであって、
前記めっき下地層は、複素環を有する化合物、または複素環を有する化合物及び金属塩を含む層であり、
前記フォトエッチング処理により金属めっき膜が除去された部分は、基材フィルムの光透過率を100%とした時の値に対して95%以上の光透過率であり、かつ表面粗さRaが50nm以下であることを特徴とする回路用導電フィルム。
IPC (3件):
H05K 1/03
, C23C 18/30
, B32B 15/08
FI (3件):
H05K1/03 630H
, C23C18/30
, B32B15/08 J
Fターム (58件):
4F100AA01
, 4F100AA02
, 4F100AA02B
, 4F100AA05
, 4F100AB01C
, 4F100AH03
, 4F100AH07B
, 4F100AK42
, 4F100AS00B
, 4F100AT00A
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100EH71
, 4F100EH71C
, 4F100EH712
, 4F100EJ012
, 4F100EJ15
, 4F100EJ15C
, 4F100EJ412
, 4F100EJ52C
, 4F100EJ54
, 4F100EJ81
, 4F100EJ812
, 4F100GB43
, 4F100JK06
, 4F100JK14
, 4F100JK14C
, 4F100JN01
, 4F100JN01C
, 4F100YY00C
, 4K022AA13
, 4K022AA14
, 4K022AA15
, 4K022AA16
, 4K022AA17
, 4K022AA20
, 4K022AA21
, 4K022AA23
, 4K022AA32
, 4K022AA43
, 4K022BA01
, 4K022BA03
, 4K022BA07
, 4K022BA08
, 4K022BA14
, 4K022CA06
, 4K022CA07
, 4K022CA12
, 4K022CA17
, 4K022CA19
, 4K022CA20
, 4K022CA21
, 4K022CA22
, 4K022CA29
, 4K022DA01
, 4K022DB24
, 4K022EA03
, 4K022EA04
引用特許: