半導体装置及びその製造方法、電源装置、高周波増幅器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：真田有 , 山本雅久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-202038
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065613
出願日： 2011年09月15日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：

【課題】放置時間が長くても、化合物半導体積層構造の表面のダングリングボンドがフッ素で終端された状態が維持されるようにし、閾値電圧の変動を抑制して、信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、化合物半導体積層構造6と、化合物半導体積層構造6の表面を覆うフッ素含有バリア膜9と、化合物半導体積層構造6の上方にフッ素含有バリア膜9を挟んで設けられたゲート電極8とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化合物半導体積層構造と、前記化合物半導体積層構造の表面を覆うフッ素含有バリア膜と、前記化合物半導体積層構造の上方に前記フッ素含有バリア膜を挟んで設けられたゲート電極とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/314 , H01L 21/312

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L21/314 A , H01L21/312 A

Fターム (62件)：

5F058AA10 , 5F058AB01 , 5F058AC05 , 5F058AD06 , 5F058AF01 , 5F058AH01 , 5F058AH02 , 5F058BA01 , 5F058BA07 , 5F058BB01 , 5F058BC14 , 5F058BD18 , 5F058BF06 , 5F058BF26 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F140AA06 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BB06 , 5F140BB15 , 5F140BB19 , 5F140BC11 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF43 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ25 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141349 出願人：株式会社日立製作所
窒化物半導体電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-270903 出願人：富士通株式会社
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-118085 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る