特許
J-GLOBAL ID：201303039492580106
半導体ダイのコンタクト構造および方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
田澤 英昭
, 濱田 初音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-048132
公開番号（公開出願番号）：特開2013-110443
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：
【課題】よりよい緩衝を半導体デバイスの金属化層に配置された誘電体層に提供する。【解決手段】複数の誘電体層および導電層を含む基板、複数の導電層の最上層の1つと電気的に接続し、約15,000Åより大きい厚さを有する金属コンタクト、および金属コンタクトと電気的に接続したコネクタを含む半導体デバイス。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
複数の誘電体層および導電層を含む基板、
前記複数の導電層のうちの最上層と電気的に接続しており、約15,000Åより大きい厚さを有する金属コンタクト、
前記金属コンタクトと電気的に接続しているコネクタ、および
前記金属コンタクトと前記コネクタを接続するコンタクトパッド、
を含む半導体デバイス。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/92 602A
, H01L21/92 604A
