特許
J-GLOBAL ID：200903080539080406
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-183807
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016514
出願日： 2006年07月03日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】半田バンプ電極とUBMとの接続強度を向上させることのできる技術を提供する。【解決手段】第1の金属膜15の上に第2の金属膜16を積層したUBM(電極層)17をボンディングパッド部M6aの上面に接続して形成し、第2の金属膜16の上面および側面に選択的にAuシード層を形成し、UBM17の上面のAuシード層に接続する半田パターンを形成した後、熱処理を施して半田パターンとAuシード層とを反応させて、第2の金属膜16の上面および側面に接続する半田バンプ電極20を形成することにより、半田バンプ電極20とUBM17との接続部分をアンカ形状とする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
(a)ボンディングパッド部を覆う絶縁膜を半導体基板上に形成した後、前記ボンディングパッド部を露出させる第1の開口部を前記絶縁膜に形成する工程と、
(b)前記第1の開口部を介して前記ボンディングパッド部に接続する第1の金属膜を前記半導体基板上に形成した後、前記第1の金属膜上に第2の金属膜を形成する工程と、
(c)前記第2の金属膜および前記第1の金属膜を順次加工して、前記第1の開口部を介して前記ボンディングパッド部に接続する前記第1および第2の金属膜からなる電極層を形成する工程と、
(d)前記電極層の上層を構成する前記第2の金属膜の上面および側面に選択的に金属シード層を形成する工程と、
(e)前記金属シード層を覆う樹脂膜を前記半導体基板上に形成した後、前記電極層の上面の前記金属シード層を露出させる第2の開口部を前記樹脂膜に形成する工程と、
(f)前記第2の開口部を介して前記電極層の上面の前記金属シード層に接続する半田パターンを形成する工程と、
(g)前記半導体基板に熱処理を施して前記半田パターンと前記金属シード層とを反応させて、前記電極層の上層を構成する前記第2の金属膜の上面および側面と接続する半田バンプ電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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