化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-071999
公開番号（公開出願番号）：特開2013-206976
出願日： 2012年03月27日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：

【課題】良好な結晶性を確保しながらリーク電流を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体装置の製造方法の一態様では、初期層12を形成する際に、III族元素の原料ガスの流量に対するV族元素の原料ガスの流量の流量比を第1の値にして第1の化合物半導体膜12aを形成し、流量比を第1の値とは異なる第2の値にして第2の化合物半導体膜12bを第1の化合物半導体膜12aの上方に形成する。また、バッファ層13と電子走行層15との間にFeがドーピングされたFeドープ領域14を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上方に初期層を形成する工程と、前記初期層上方にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上方に電子走行層及び電子供給層を形成する工程と、前記電子供給層上方にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を有し、前記初期層を形成する工程は、 III族元素の原料ガスの流量に対するV族元素の原料ガスの流量の流量比を第1の値にして第1の化合物半導体膜を形成する工程と、前記流量比を前記第1の値とは異なる第2の値にして第2の化合物半導体膜を前記第1の化合物半導体膜の上方に形成する工程と、を有し、前記バッファ層と前記電子走行層との間にFeがドーピングされたFeドープ領域を形成する工程を有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , H02M 3/155 , H02M 7/538

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , H02M3/155 S , H02M7/5387 Z

Fターム (45件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045EE12 , 5F045EE17 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR09 , 5F102GV03 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC15 , 5F102HC19 , 5F102HC21 , 5H007AA07 , 5H007CA02 , 5H007CB05 , 5H007CC12 , 5H007HA04 , 5H730AA14 , 5H730BB14 , 5H730CC04 , 5H730DD04 , 5H730ZZ15

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-169830 出願人：住友電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-069304 出願人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社
結晶窒化ガリウムベースの化合物の成長方法及び窒化ガリウムベース化合物を含む半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-013960 出願人：泰谷光電科技股分有限公司

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