特許

J-GLOBAL ID：201303041726343701

ビア及びエッチングされた構造におけるコンフォーマル絶縁層の形成方法及びパターン形成方法

発明者： ロバート ディティジオ
出願人/特許権者： エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  島田 哲郎 ,  三橋 真二 ,  伊藤 健太郎 ,  伊藤 公一 ,  曽根 太樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-554419
公開番号（公開出願番号）：特表2013-520830
出願日： 2011年02月24日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：

マスク層の下にアンダーカット形状を形成するエッチングプロセスによって基板にビアが形成される。ビアはコンフォーマルな絶縁層で覆われ、この構造にエッチングプロセスを実施して水平面から絶縁層を取り除くと共にビアの垂直な側壁の絶縁層を残す。ビアの上部領域はエッチバックプロセスの際、アンダーカットハードマスクによって保護される。

請求項（抜粋）：

基板上に構造を形成する方法であって: a.前記基板において、側壁にオーバーハングを有するビア又はトレンチパターンをエッチングすることと、 b.前記側壁と前記オーバーハングの下側の一部とを覆う絶縁層を蒸着することと、を含む方法。

IPC (4件)：

H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/88 J ,  H01L21/302 104C

Fターム (48件)：

5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EB01 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ31 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM10 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN29 ,  5F033NN31 ,  5F033NN32 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ95 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS07 ,  5F033SS11 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-210188   出願人：三洋電機株式会社, 富士通株式会社, 日本電気株式会社
• 導電性ビアの製造と充填のための方法、およびそのように形成された導電性ビア
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-553269   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-229923   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体ウエハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-235648   出願人：株式会社ルネサステクノロジ