特許
J-GLOBAL ID：200903025530312907
半導体ウエハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-235648
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053149
出願日： 2005年08月16日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】 複数の半導体チップを積層するときの、コンタクト電極を、半導体基板の裏面から加工するための製造方法を提案する。【解決手段】 半導体基板の裏面から開口部がすり鉢状の貫通孔を形成した後、絶縁膜を形成し、その後、貫通孔の底面のコンタクト部となる部分の絶縁膜を除去し、シード層をスパッタした後、Auメッキとパッド部のパターンニングによりコンタクト電極を形成することを特徴とする。【効果】 貫通孔の開口部がすり鉢状であるため、フォトリソグラフィー時、孔にレジストが充填されやすく、露光時に孔の底面まで光がまわりやすいため、孔底面の絶縁膜に開口パターンを形成することができる。これにより、裏面と素子面との電気的な接続が可能となる。さらに、半導体基板の裏面からの加工であるため半導体素子がプラズマによる影響を受けず、素子の欠陥が発生しない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の面に半導体素子が形成された半導体基板の第2の面に、フォトリソグラフィ技術により、前記半導体基板の第1の面に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続した電極の位置と相対する位置に開口を設けるレジストパターンニング工程と、
ドライエッチング装置により前記開口部の前記半導体基板をエッチングして孔を形成する工程と、
前記レジストを除去した後、前記半導体基板の第2の面に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上にアルミニウム膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィ技術により、前記孔の底面の一部に開口を設けるレジストパターンニング工程の後、エッチングにより前記孔の底面の前記アルミニウム膜にパターンニングして開口を設けた後に、前記レジストを除去する工程と、
エッチングにより、前記孔底面の前記絶縁膜と前記半導体基板の第1の面に形成された絶縁膜を除去する工程と、
前記半導体基板の前記第2の面と前記孔の内面と底面に、金属シード層を形成する工程と、
前記第2の面の前記金属シード層に、フォトリソグラフィ技術により、前記孔部を含む部分に開口を有するパターンニング工程と、
メッキにより、前記孔を含む部分の開口に金属層を堆積させた後、前記レジストを除去する工程と、
前記孔を含む部分のパターンに、フォトリソグラフィ技術によりレジストのカバーを設けた後に、前記金属シード層をエッチングして、パッドと配線を半導体基板の第2の面に形成する工程とを有すること特徴とする半導体ウエハの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/320
, H01L 23/52
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L21/88 J
, H01L25/08 Z
5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH33
, 5F033JJ08
, 5F033JJ13
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033JJ33
, 5F033KK07
, 5F033KK11
, 5F033KK13
, 5F033MM05
, 5F033MM30
, 5F033NN06
, 5F033NN32
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033PP33
, 5F033QQ07
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ19
, 5F033QQ22
, 5F033QQ27
, 5F033QQ34
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ89
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033SS26
, 5F033VV07
, 5F033XX00
, 5F033XX14
, 5F033XX34
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (2件)
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-333070
出願人：三洋電機株式会社
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配線形成法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-149457
出願人：ヤマハ株式会社
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