半導体構造

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-257580
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073663
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】金属ゲート電極層に望まれる特性は、微細加工を施された半導体立体構造体上に段差被覆率良く被覆されていることである。またもう一つの特性は、堆積された電極層の表面が1ナノメートルのスケールで平坦であり、電極層の堆積後に特別な平坦化処理を施すことなく電気的な絶縁を目的とした誘電体層を被服することが可能なことである。また、金属ゲート電極層に望まれる更なる特性の一つは、通常の半導体プロセスと同様のエッチング加工性を有していることである。また、金属ゲート電極層に望まれるもうひとつの特性は、結晶粒界がなく均一であり、不純物拡散が抑制された構造であることである。【解決手段】上記特性を満たす最良の金属ゲート電極としてアモルファス構造の金属電極が優れていることを見出し、本発明に至った。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

半導体、該半導体を覆う誘電体層及び該誘電体層を覆う電極層から成る半導体構造体において、該電極層は、アモルファス構造であることを特徴とする半導体構造体。

IPC (9件)：

H01L 29/786 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/285 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/78

FI (9件)：

H01L29/78 617M , H01L29/58 G , H01L21/285 C , H01L29/78 617K , H01L29/78 617L , H01L29/78 618C , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L29/78 301G

Fターム (132件)：

4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA42 , 4K030BB05 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA08 , 4K030FA10 , 4K030LA01 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA10 , 4M104BB29 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP56 , 5F083JA05 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR21 , 5F101BA19 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BH02 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB06 , 5F110CC02 , 5F110CC09 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE32 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ02 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA01 , 5F140AA21 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA04 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA09 , 5F140BA18 , 5F140BB04 , 5F140BB05 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BE10 , 5F140BE18 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BF34 , 5F140BF38 , 5F140BF47 , 5F140BG09 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CA02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (2件)

非晶質金属酸化物ゲート誘電体構造とその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-582829 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-226395 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-072958 出願人：日本電気株式会社
ZnO-SnO2 系透明導電性膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-209247 出願人：住友金属鉱山株式会社
ピン電界効果トランジスタ及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-214878 出願人：三星電子株式会社

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