埋没接点を有するトランジスタとその形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑垣衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-545900
公開番号（公開出願番号）：特表2009-520367
出願日： 2006年11月21日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：

第1の電流電極領域(32)、第2の電流電極領域(34)、およびチャネル領域(37)を含む半導体構造の形成方法であって、チャネル領域(37)は第1の電流電極領域(32)と第2の電流電極領域(34)との間に配置され、チャネル領域(37)は半導体構造のフィン構造(36)内に配置され、チャネル領域内のキャリア輸送は概して第1の電流電極領域(32)と第2の電流電極領域(34)との間で水平方向に行われる方法。該方法は、第1の接点(66)を形成することを含み、第1の接点(66)を形成することは、半導体構造の第1の部分を除去して、第1の電流電極領域(32)に開口部(54)を形成すること、開口部に接点材料(66)を形成することを含む。

請求項（抜粋）：

半導体装置を形成するための方法であって、半導体装置電極構造を形成すること、第1の接点を形成することを備え、前記第1の接点を形成することは、前記半導体装置電極構造の第1の部分を除去して開口部を形成すること、前記開口部内に接点材料を形成することを含み、前記第1の接点は前記半導体装置電極構造に電気的に結合される、方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/768 , H01L 29/417 , H01L 29/78

FI (9件)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 618C , H01L29/78 617J , H01L29/78 616U , H01L29/58 G , H01L21/90 C , H01L29/50 M , H01L29/78 301X , H01L21/90 A

Fターム (92件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD07 , 4M104DD16 , 4M104FF27 , 4M104GG09 , 4M104HH15 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK25 , 5F033KK33 , 5F033KK36 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN13 , 5F033NN16 , 5F033NN34 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033VV06 , 5F033XX09 , 5F110AA03 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110EE38 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG30 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL04 , 5F110HL05 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL22 , 5F110HM17 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F140AA01 , 5F140AA10 , 5F140AC36 , 5F140BB05 , 5F140BF04 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF18 , 5F140BF44 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG46 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ25 , 5F140BJ27 , 5F140BJ28 , 5F140BK26 , 5F140CC15 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-253476 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-246289 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-150519 出願人：株式会社東芝

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