反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-113788
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229537
出願日： 2012年05月17日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

【課題】キャッピング層の光学特性の変化を抑制することができる反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置を提供することである。【解決手段】実施形態に係る反射型マスクの製造方法は、基板の主面に反射層を形成する工程と、前記反射層の上にルテニウムを含むキャッピング層を形成する工程と、前記キャッピング層の上に吸収層を形成する工程と、前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、前記パターン領域を形成する際に用いられたレジストマスクを除去する工程と、前記吸収層と前記キャッピング層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、を備えている。そして、前記パターン領域を形成する際に用いられたレジストマスクを除去する工程において、アンモニアガスと窒素ガスの混合ガス、または、アンモニアガスのみを用いたドライアッシング処理を施す。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板の主面に反射層を形成する工程と、前記反射層の上にルテニウムを含むキャッピング層を形成する工程と、前記キャッピング層の上に吸収層を形成する工程と、前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、前記パターン領域を形成する際に用いられたレジストマスクを除去する工程と、前記吸収層と前記キャッピング層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、を備え、前記パターン領域を形成する際に用いられたレジストマスクを除去する工程において、アンモニアガスと窒素ガスの混合ガス、または、アンモニアガスのみを用いたドライアッシング処理を施す反射型マスクの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/24 , G03F 1/82

FI (3件)：

H01L21/30 531M , G03F1/24 , G03F1/82

Fターム (6件)：

2H095BA10 , 2H095BB18 , 2H095BC20 , 5F146GD01 , 5F146GD17 , 5F146GD22

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-098927 出願人：富士通セミコンダクター株式会社
フォトレジストおよびエッチング残留物をビアから除去する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2012-516433 出願人：シルバーブルックリサーチピーティワイリミテッド
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-281185 出願人：株式会社日立国際電気

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