特許
J-GLOBAL ID:201303044885166178

パターン形成方法及びこれに用いるレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-001753
公開番号(公開出願番号):特開2013-064971
出願日: 2012年01月10日
公開日(公表日): 2013年04月11日
要約:
【解決手段】酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。【効果】本発明の酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、即ち溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する効果が非常に高い特徴を有する。このレジスト膜を用いてドットパターン又は格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (7件):
G03F 7/038 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/14 ,  C08F 220/56 ,  C08F 222/40
FI (7件):
G03F7/038 601 ,  G03F7/32 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F212/14 ,  C08F220/56 ,  C08F222/40
Fターム (98件):
2H096GA03 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AH01 ,  2H125AH05 ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH13 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH20 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ02Y ,  2H125AJ12Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ18Y ,  2H125AJ33Y ,  2H125AJ35Y ,  2H125AJ52X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ68Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ69Y ,  2H125AJ92Y ,  2H125AM22N ,  2H125AM94N ,  2H125AM99N ,  2H125AN11N ,  2H125AN31N ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN63N ,  2H125AN88P ,  2H125AN89P ,  2H125BA01N ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4J100AB07Q ,  4J100AE06Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AM02S ,  4J100AM21Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03S ,  4J100BA11R ,  4J100BA11S ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA38P ,  4J100BA38Q ,  4J100BA56R ,  4J100BA56S ,  4J100BB12R ,  4J100BB12S ,  4J100BB18S ,  4J100BC02Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC49Q ,  4J100BC52P ,  4J100BC53R ,  4J100BC53S ,  4J100BC58R ,  4J100BC65P ,  4J100BC84R ,  4J100CA03 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (8件)
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