特許
J-GLOBAL ID：201303045008876969

パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、及びパワーモジュール用基板の製造方法

発明者：
寺▲崎▼ 伸幸

寺▲崎▼ 伸幸 について

, 
長友 義幸

長友 義幸 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  増井 裕士 ,  細川 文広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-203362
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229545
出願日： 2012年09月14日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】パワーサイクル負荷時において熱抵抗の上昇を抑制するとともに、ヒートサイクル負荷時においてセラミックス基板に割れが生じることを抑制し、パワーサイクル及びヒートサイクルの負荷に対して高い信頼性を有するパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、及びパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。【解決手段】回路層12は、絶縁層11の一方の面に配設されたアルミニウム層12Aと、このアルミニウム層12Aの一方側に積層された銅層12Bと、を有し、前記アルミニウム層12Aと前記銅層12Bは、固相拡散接合されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層と、この絶縁層の一方の面に形成された回路層と、を備えたパワーモジュール用基板であって、 前記回路層は、前記絶縁層の一方の面に配設されたアルミニウム層と、 このアルミニウム層の一方側に積層された銅層と、を有し、 前記アルミニウム層と前記銅層は、固相拡散接合されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L23/36 C ,  H01L23/12 J
Fターム (5件)：
5F136BB04 ,  5F136BB18 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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