特許
J-GLOBAL ID：201303045339871711
誘電膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-101025
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229471
出願日： 2012年04月26日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】隣り合う分割層同士が繋がってしまうことを防止し、耐圧向上を図ることができる誘電膜とする。【解決手段】多成分系高誘電体薄膜11と分割層13とが順に繰り返し積層された積層構造15において、分割層13を2層のバリア層12、14で挟み込んだ構造により積層構造15を構成する。これにより、誘電膜1を製造する際に、たとえ高温での後熱処理を行ったとしても、多成分系高誘電体薄膜11と分割層13とを有して構成された積層構造15は機能を保ち、多成分系高誘電体薄膜11は分割層13によって水平方向に分割された状態のままにできる。このため、隣り合う分割層13同士が繋がってしまうことを防止でき、耐圧向上を図ることが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
多成分系誘電体にて構成される多成分系誘電体薄膜(11)と、前記多成分系誘電体薄膜の一面側に配置され、結晶方向によって導電率の異なる物質によって構成された分割層(13)と、を有してなる積層構造(15)が複数積層され、
複数積層された前記積層構造それぞれにおいて、前記分割層の両面のうちの少なくとも一方の面に、該分割層の構成材料が前記多成分系誘電体薄膜内に拡散することを抑制するバリア層(12、14)が備えられていることを特徴とする誘電膜。
IPC (3件)：
H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 21/316
H01L27/04 C
, H01L21/316 M
5F038AC16
, 5F038AR06
, 5F038EZ14
, 5F038EZ17
, 5F038EZ20
, 5F058BA11
, 5F058BD05
, 5F058BD12
, 5F058BF06
, 5F058BF37
, 5F058BH01
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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キャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-225765
出願人：エルピーダメモリ株式会社
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多成分系薄膜及びその形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-131493
出願人：三星電子株式会社
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2009-211223
出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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