特許
J-GLOBAL ID：201303045568909919

半導体装置およびその製造方法

発明者：
千葉原 宏幸

千葉原 宏幸 について

, 
石井 敦司

石井 敦司 について

, 
和泉 直生

和泉 直生 について

, 
松本 雅弘

松本 雅弘 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-156299
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225709
出願日： 2013年07月29日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：
【課題】層間絶縁膜のクラックに起因するシールリングの破壊が生じにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】第1の積層体LB1は第1の機械的強度を有する第1の層間絶縁膜ID1a〜ID1dを含む。第2の積層体LB2は第1の機械的強度よりも大きな機械的強度を有する第2の層間絶縁膜ID2a,ID2bを含む。第1の領域Ra1は第1の積層体LB1内に設けられた第1の金属層L1とビアV1とを有する。第2の領域Ra2は第2の積層体LB2内に設けられた第2の金属層L2とビアV2とを有する。第2の領域Ra2は、平面視において第1の領域Ra1の少なくとも一部と重なり合い、かつ第1の領域Ra1とビアによって接続されておらず、かつ第1の領域Ra1との間に第2の層間絶縁膜ID2aを挟んでいる。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
チップ領域と、 平面視において前記チップ領域を囲むシールリング領域と、 平面視において前記シールリング領域の外周を囲む外側領域とを備えた半導体装置であって、 前記外側領域は、 半導体基板と、 前記半導体基板の上に設けられた、第1の誘電率を有する第1の層間絶縁膜を含む第1の積層体と、 前記第1の積層体の上に設けられた、前記第1の誘電率よりも大きな第2の誘電率を有する第2の層間絶縁膜を含む第2の積層体と、 平面視において互いに重なり合うように前記第1の積層体内に設けられた複数の第1の金属層を含む複数の第1の金属領域と、 平面視において互いに重なり合うように前記第2の積層体内に設けられた複数の第2の金属層を含む複数の第2の金属領域とを含み、 前記複数の第2の金属領域は、平面視において、列および行の配列で配置されており、 前記列および行の配列は、平面視において前記シールリング領域の隣り合う部分に実質的に平行に延在する少なくとも4つの列を含んでおり、平面視において、前記少なくとも4つの列の第1の列は前記シールリング領域にもっとも近く、前記少なくとも4つの列の第4の列は、前記シールリング領域からもっとも遠く、前記少なくとも4つの列の第2および第3の列は前記第1および第4の列の間に存在しており、前記第2の列は前記第1の列により近く、前記第3の列は前記第4の列により近く、 前記列および行の配列はさらに、前記第1〜第4の列から延在する複数の行を含んでおり、前記行は前記シールリング領域の前記隣り合う部分に垂直な線に対して傾斜している、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (4件)：
H01L21/88 S ,  H01L21/88 Z ,  H01L21/90 J ,  H01L27/04 A
Fターム (32件)：
5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM21 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ25 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT01 ,  5F033UU03 ,  5F033UU05 ,  5F033VV00 ,  5F033VV01 ,  5F033WW00 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F038BH10 ,  5F038CA05 ,  5F038CA06 ,  5F038CA18 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ08 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-200822   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182366   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-220073   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
全件表示
審査官引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-200822   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182366   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-220073   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM