特許
J-GLOBAL ID：201303047412862818

フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ

発明者：
山村 和久

山村 和久 について

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坂本 明

坂本 明 について

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永野 輝昌

永野 輝昌 について

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石川 嘉隆

石川 嘉隆 について

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河合 哲

河合 哲 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006065
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065910
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：
【課題】シリコンフォトダイオード及びシリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを提供すること。【解決手段】フォトダイオードPD5は、P-型半導体基板20を備え、裏面入射型である。P-型半導体基板20は、互いに対向する第1及び第2主面0a,20bを有し、光感応領域21を含む。光感応領域21は、N+型不純物領域23と、P+型不純物領域25と、P-型半導体基板20においてバイアス電圧を印加した際に空乏化する領域とからなる。P-型半導体基板20の第2主面20bには、不規則な凹凸10が形成されている。P-型半導体基板20の第2主面20b側には、アキュムレーション層37が形成されており、アキュムレーション層37における、光感応領域21に対向している領域は光学的に露出している。【選択図】図25
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1主面及び第2主面を有するシリコン基板を備え、 前記シリコン基板の前記第1主面側には、前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の半導体領域と第2導電型の半導体領域との間のpn接合によって構成されたアバランシェフォトダイオードが配置され、 前記シリコン基板の前記第2主面側には、前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層が形成されていると共に、少なくとも前記アバランシェフォトダイオードに対向する領域に不規則な凹凸が形成されており、 前記シリコン基板の前記第2主面における前記アバランシェフォトダイオードに対向する前記領域は、光学的に露出し、 少なくとも前記アバランシェフォトダイオードに対向する領域に不規則な凹凸が形成された前記第2主面が光入射面とされて、前記第2主面から入射した光が前記シリコン基板内を進む、裏面入射型であることを特徴とするフォトダイオード。
IPC (2件)：
H01L 31/107 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L31/10 B ,  H01L31/10 D
Fターム (23件)：
5F049MA02 ,  5F049MA07 ,  5F049MB03 ,  5F049MB12 ,  5F049NA10 ,  5F049NB07 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049QA06 ,  5F049QA13 ,  5F049QA20 ,  5F049RA03 ,  5F049SE05 ,  5F049SS03 ,  5F049SS08 ,  5F049SZ13 ,  5F049SZ16 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03 ,  5F049WA09
引用特許：
審査官引用 (11件)
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