裏面入射型光検出素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-278567
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045073
出願日： 2003年07月23日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】パッケージを充分に小さくでき、且つ被検出光の散乱を抑制することができる裏面入射型光検出素子を提供する。【解決手段】裏面入射型ホトダイオード1は、N型半導体基板10、P+型不純物半導体領域11、凹部12、及び被覆層13を備えている。N型半導体基板10の表面S1側における表層には、P+型不純物半導体領域11が形成されている。N型半導体基板10の裏面S2におけるP+型不純物半導体領域11に対向する領域には、被検出光の入射部となる凹部12が形成されている。また、裏面S2上には、凹部12へと入射する被検出光を透過させる被覆層13が設けられている。ここで、被覆層13は、凹部12上に設けられている部分が、凹部12の外縁部14上に設けられている部分に対して窪んでいる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型をもつ半導体基板と、前記半導体基板の第1面側における表層に設けられ、第2導電型をもつ不純物半導体領域と、前記半導体基板の第2面における前記不純物半導体領域に対向する領域に形成され、被検出光が入射する凹部と、前記第2面上に設けられ、前記被検出光を透過させる樹脂からなる被覆層と、を備え、前記被覆層は、前記第2面の前記凹部上に設けられた部分が、前記凹部の外縁部上に設けられた部分に対して窪んでいることを特徴とする裏面入射型光検出素子。

IPC (1件)：

H01L31/10

FI (2件)：

H01L31/10 A , H01L31/10 H

Fターム (12件)：

5F049MA03 , 5F049MB03 , 5F049NA07 , 5F049NA19 , 5F049PA09 , 5F049PA14 , 5F049PA15 , 5F049PA20 , 5F049QA06 , 5F049QA20 , 5F049SZ12 , 5F049SZ13

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体電子部品の製造方法およびウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-026434 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (6件)

特開平2-185070
裏面入射型ホトダイオード及びホトダイオードアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-124591 出願人：浜松ホトニクス株式会社
光電変換素子及び光受信器
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-108056 出願人：浜松ホトニクス株式会社

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