特許
J-GLOBAL ID：201303047856591780
GaN系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
特許業務法人藤村合同特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-012169
公開番号（公開出願番号）：特開2013-080968
出願日： 2013年01月25日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
要約：
【目的】 GaN系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくSi基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なGaN系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板を提供する。【解決手段】 Si基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長の窒化アルミニウム(AlN)結晶層であるバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にGaN系化合物結晶を成長する工程と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)基板上にGaN系化合物半導体を結晶成長する方法であって、
前記Si基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、
前記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長の窒化アルミニウム(AlN)結晶層であるバッファ層を成長する工程と、
前記バッファ層上にGaN系化合物結晶を成長する工程と、を有することを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C30B 29/38
, C30B 25/18
, C23C 16/34
, C23C 16/01
H01L21/205
, C30B29/38 D
, C30B25/18
, C23C16/34
, C23C16/01
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077DB08
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077EF02
, 4G077EF03
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077TB05
, 4G077TC14
, 4G077TC17
, 4G077TC19
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4G077TK11
, 4K030AA05
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA22
, 4K030BA38
, 4K030BA49
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AF03
, 5F045AF12
, 5F045CA10
, 5F045DA53
, 5F045HA14
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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