特許
J-GLOBAL ID：201303049024261902

炭化珪素成膜装置、及び炭化珪素除去方法

発明者：
宮澤 譲

宮澤 譲 について


出願人/特許権者：
大陽日酸株式会社

大陽日酸株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-184846
公開番号（公開出願番号）：特開2013-046020
出願日： 2011年08月26日
公開日（公表日）： 2013年03月04日
要約：
【課題】本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバー内に付着した炭化珪素を含む付着物をin-situで精度よく除去可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを課題とする。【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段13と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段14と、フッ素含有ガス供給手段13及び酸素含有ガス供給手段14と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー11内に供給するプラズマ発生手段15と、成膜チャンバー11からの排ガスを分析する排ガス分析手段19と、排ガス分析手段19の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段13、酸素含有ガス供給手段14、及びプラズマ発生手段15を制御する制御手段21と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面粗さRaが10未満で、(111)面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートで被覆されると共に、基板に炭化珪素膜を成膜する際に炭化珪素を含む付着物が内面に付着した成膜チャンバーと、 フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段と、 酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段と、 前記フッ素含有ガス供給手段及び前記酸素含有ガス供給手段と接続され、前記フッ素含有ガス及び前記酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化した前記フッ素含有ガス及びプラズマ化した前記酸素含有ガスを前記成膜チャンバー内に供給するプラズマ発生手段と、 前記成膜チャンバーから排出される排ガスを分析する排ガス分析手段と、 前記排ガス分析手段の分析結果に基づき、前記フッ素含有ガス供給手段、前記酸素含有ガス供給手段、及び前記プラズマ発生手段を制御する制御手段と、 を含み、 前記炭化珪素を含む付着物は、表面粗さRaが10以上で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5〜1.5の範囲内であり、かつ(111)面の占める比率が0.5以上であることを特徴とする炭化珪素成膜装置。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/44
FI (4件)：
H01L21/302 101H ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 J ,  C23C16/44 B
Fターム (29件)：
4K030BA37 ,  4K030DA06 ,  4K030HA12 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA09 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46 ,  4K030LA12 ,  5F004AA15 ,  5F004BB29 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA20 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DA28 ,  5F004DB19 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045BB08 ,  5F045EB06 ,  5F045GB04
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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