特許
J-GLOBAL ID：200903007677063955
CVD装置のクリーニング装置およびCVD装置のクリーニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 高畑 ちより
, 鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-070329
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281673
出願日： 2003年03月14日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】成膜工程の際に反応チャンバーの内壁、電極などの表面に付着、堆積したSiO2、Si3N4などの副生成物を、効率良く除去することができ、しかも、排出されるクリーニングガスの排出量も極めて低く、地球温暖化などの環境へ与える影響も少なく、ガス利用効率も良く、コストも低減できるクリーニングを実施することができるCVD装置のクリーニング装置、およびそれを用いたCVD装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】発光分光分析器によって、反応チャンバー内のFラジカルの発光強度データをモニタリングして、Arで較正した予め記憶された発光強度データと比較して、発光強度飽和点に達してから所定時間後に、クリーニングを終了するように制御するとともに、赤外線吸収分析器によって、反応チャンバーからの排ガス中のSiF4の濃度データをモニタリングして、予め記憶されたSiF4の濃度データと比較して、所定のクリーニング終点濃度に達した際に、所定時間が経過したと判別して、クリーニングを終了する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
反応ガス供給経路を介して反応チャンバー内に供給される反応ガスに、高周波を印加してプラズマ化して、プラズマ化した反応ガスを、反応チャンバー内に供給する反応ガス導入装置と、
反応チャンバー内に配置され、堆積膜を形成する基材を載置する対向電極ステージとを備え、
前記反応ガス導入装置を介して反応チャンバー内に導入されたプラズマ化した反応ガスによって、前記対向電極ステージ上の基材表面上に堆積膜を形成するCVD装置のクリーニング装置であって、
前記反応チャンバー内のFラジカルの発光分光分析を行い発光強度を計測する発光分光分析器(OES)、もしくはF強度を計測するための質量分析器、またはその両方を反応チャンバーに付設して、
前記CVD装置によって、基材表面上に堆積膜を形成した後に、クリーニングガスを導入して反応チャンバー内をクリーニングする際に、
前記発光分光分析器、もしくは質量分析器、またはその両方によって、反応チャンバー内のFラジカルの発光強度データ、もしくはF強度データ、またはその両方のデータをモニタリングして、
予め記憶された発光強度データ、もしくはF強度データ、またはその両方のデータと比較して、発光強度飽和点、もしくはF強度飽和点に達してから所定時間後に、クリーニングを終了するように制御するように構成されたクリーニング制御装置を備えることを特徴とするCVD装置のクリーニング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/31 B
, C23C16/44 J
4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA03
, 4K030DA06
, 4K030FA01
, 4K030HA12
, 5F045AA08
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045EB06
, 5F045EE17
, 5F045GB15
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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