特許

J-GLOBAL ID：201303051188292218

パワー半導体モジュール

発明者： 舟越 砂穂 ,  齊藤 克明 ,  東 克典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (3件)： 井上 学 ,  戸田 裕二 ,  岩崎 重美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-066501
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197560
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】小型で低熱抵抗のパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】両側に金属箔を固着させた絶縁基板の一方の金属箔に半導体チップ1の一方の電極をはんだ接合し、絶縁基板3上の他方の金属箔を放熱ベース9にはんだ接合したパワー半導体モジュールにおいて、半導体チップ1の他方の電極に熱拡散金属板14を接合し、熱拡散金属板14にリード15の一端を接合し、リード15の他端を絶縁基板3上の金属箔に接合し、リード15の熱拡散金属板14との接合部およびリード15の絶縁基板3上の金属箔との接合部を他の部分よりも薄くする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

両側に金属箔を固着させた絶縁基板の一方の金属箔に半導体チップの一方の電極を接合し、前記絶縁基板上の他方の金属箔を放熱ベースに接合したパワー半導体モジュールにおいて、 前記半導体チップの他方の電極に金属板を接合し、前記金属板に導電リードの一端を接合し、前記導電リードの他端を絶縁基板上の金属箔に接合し、前記導電リードの前記金属板との接合部および前記導電リードの前記絶縁基板上の金属箔との接合部を他の部分よりも薄くしたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (5件)：

H01L 21/60 ,  H01L 23/48 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/427

FI (4件)：

H01L21/60 321E ,  H01L23/48 P ,  H01L25/04 C ,  H01L23/46 B

Fターム (5件)：

5F136BB01 ,  5F136CC13 ,  5F136CC26 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-045338   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 半導体冷却ユニット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-287927   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-299137   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-339866   出願人：株式会社ルネサステクノロジ