特許
J-GLOBAL ID：201303053211705897
β-Ga2O3結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-249890
公開番号（公開出願番号）：特開2013-103863
出願日： 2011年11月15日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：
【課題】β-Ga2O3結晶の双晶密度を許容値以下とすることが可能なβ-Ga2O3結晶の製造方法を提供する。【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法によるβ-Ga2O3単結晶25の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、許容値が小さいほど種結晶20の引き上げ方向に対するβ-Ga2O3単結晶25の肩広げ角度θの目標値を大きく設定する第1ステップと、第1ステップで設定した目標値の肩広げ角度でβ-Ga2O3単結晶25が成長するように結晶成長時における温度又は種結晶20の引き上げ速度を制御して、β-Ga2O3結晶を成長させる第2ステップとを有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
EFG法によるβ-Ga2O3結晶の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、前記許容値が小さいほど種結晶の引き上げ方向に対する前記β-Ga2O3結晶の肩広げ角度の目標値を大きく設定する第1ステップと、
前記第1ステップで設定した目標値の肩広げ角度で前記β-Ga2O3結晶が成長するように結晶成長時における温度又は前記種結晶の引き上げ速度を制御して、前記β-Ga2O3結晶を成長させる第2ステップとを有するβ-Ga2O3結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077CF02
, 4G077ED02
, 4G077EH04
, 4G077HA12
, 4G077PF16
, 4G077PF17
, 4G077PK04
