特許
J-GLOBAL ID：200903028077227714

半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子

発明者：
坂本 陵

坂本 陵 について

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清水 成

清水 成 について

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伊藤 統夫

伊藤 統夫 について

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江川 孝志

江川 孝志 について


出願人/特許権者：
DOWAエレクトロニクス株式会社

DOWAエレクトロニクス株式会社 について

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国立大学法人 名古屋工業大学

国立大学法人 名古屋工業大学 について


代理人 (5件)： 杉村 憲司 ,  杉村 興作 ,  来間 清志 ,  藤谷 史朗 ,  澤田 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-337167
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158804
出願日： 2007年12月27日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】クラック及びピットの発生が少なく、結晶性に優れた窒化物半導体層を有する半導体材料及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】Si基板10上又はこの上に形成した中間層20上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層30を形成し、該組成傾斜層30の上に、AlYGa1-YNの組成からなるからなる高Al含有層41とAlZGa1-ZNの組成からなる低Al含有層42とを交互に積層してなる超格子複合層40を形成し、該超格子複合層40の上に、窒化物半導体層50を形成してなる半導体材料を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si基板上又はこの上に形成した中間層上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層を形成し、該組成傾斜層の上に、AlYGa1-YN(ただし、0.5≦Y≦1とする。)の組成からなる高Al含有層と、AlZGa1-ZN(ただし、0≦Z≦0.5とする。)の組成からなる低Al含有層とを交互に積層してなる超格子複合層を形成し、該超格子複合層の上に、窒化物半導体層を形成してなることを特徴とする半導体材料。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34
Fターム (24件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030HA15 ,  4K030JA20 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA05 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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