特許
J-GLOBAL ID：201303054796824604

原子捕捉装置及び原子捕捉方法

発明者：
向井 哲哉

向井 哲哉 について

, 
丹治 はるか

丹治 はるか について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-270105
公開番号（公開出願番号）：特開2013-122954
出願日： 2011年12月09日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：
【課題】本発明は原子を捕捉するための装置及び方法に関する。【解決手段】本発明の装置は、超伝導材料のマイクロディスクアレイ及びカバーディスクを備える捕捉部であって、マイクロディスクアレイはカバーディスクの面の範囲内に配置され、マイクロディスクアレイの超伝導転移温度は、カバーディスクの超伝導転移温度より高い、捕捉部、第1の磁場と第1の磁場とは逆向きの第2の磁場とを捕捉部に印加する磁場印加部、第1の磁場の印加後に捕捉部をカバーディスクの超伝導転移温度より大きくマイクロディスクアレイの超伝導転移温度より小さい第1の温度に冷却し第1の磁場を遮断後に捕捉部をカバーディスクの超伝導転移温度より小さい第2の温度に冷却する冷却部を備え、磁場印加部は捕捉部を第1の温度に冷却した後に第1の磁場を遮断し、捕捉部を第2の温度に冷却した後に第2の磁場を印加する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
超伝導材料から構成されたマイクロディスクアレイ及びカバーディスクを備える捕捉部であって、前記マイクロディスクアレイは、前記カバーディスクの面の範囲内に配置され、前記マイクロディスクアレイの超伝導転移温度は、前記カバーディスクの超伝導転移温度より高い、捕捉部と、 均一な第1の磁場と、前記第1の磁場とは逆向きの均一な第2の磁場とを前記捕捉部に印加する磁場印加部と、 前記第1の磁場の印加後に、前記捕捉部を前記カバーディスクの超伝導転移温度より大きく前記マイクロディスクアレイの超伝導転移温度より小さい第1の温度に冷却し、前記第1の磁場を遮断後に、前記捕捉部を前記カバーディスクの超伝導転移温度より小さい第2の温度に冷却する冷却部と を備え、 前記磁場印加部は、前記捕捉部を前記第1の温度に冷却した後に前記第1の磁場を遮断し、前記捕捉部を前記第2の温度に冷却した後に前記第2の磁場を印加することを特徴とする原子捕捉装置。
IPC (1件)：
H01L 39/22
FI (1件)：
H01L39/22 B
Fターム (10件)：
4M113AC02 ,  4M113AD22 ,  4M113AD23 ,  4M113BA01 ,  4M113CA12 ,  4M113CA13 ,  4M113CA17 ,  4M113CA18 ,  4M113CA34 ,  4M113CA44
引用特許：
出願人引用 (3件)

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